飞扬萌宠2024年10月13日发布:三星创了记录,8400亿人民币砸出个3纳米良品率为零?
⭐发布日期:2024年10月13日 | 来源:飞扬萌宠
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三星创了记录,8400亿人民币砸出个3纳米良品率为零?
三星3纳米工艺遇挫,半导体帝国梦欲碎
在科技界的发展历程中,几乎没有哪家公司的命运能像三星电子一样令人瞩目。作为全球最大的半导体制造商,三星一直肩负着引领行业进步的重任。然而,就在全球瞩目之时,三星却遭遇了截然相反的命运。
三星3纳米工艺良率"惨淡",这是一个令人难以置信的事实。作为全球首家量产3纳米芯片的公司,三星本应该驱动整个半导体产业的进化。但现实却给了三星一记重拳 - 其3纳米工艺良率竟然为零!这对于一家高度依赖半导体业务的科技巨头来说,无疑是一次沉重的打击。
我们不禁要问,一向引领潮流的三星,是如何跌入如此困境的?究竟是什么原因导致了这个翘楚巨头在关键时刻踌躇满志?而这场3纳米的"豪赌"又给三星的未来带来了怎样的影响?
纸上得来终觉浅,绝知此事要躬行。让我们一起深入探究,三星在追求3纳米突破时所遭遇的种种挑战与困境。
一、三星3纳米之路:期望与现实的巨大落差
众所周知,摩尔定律的持续推进,一直是推动半导体行业不断进步的重要动力。从1965年,英特尔联合创始人戈登·摩尔提出"集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番"的著名预言开始,半导体行业就一直在朝着这个目标不懈努力。
在这个过程中,各大半导体巨头无不想要抢占先机,成为行业的领导者。三星电子也不例外,它一直都在与台积电等竞争对手进行着激烈的技术竞赛。
2022年12月,三星电子宣布全球首家量产3纳米芯片Exynos 2500,这无疑是一个里程碑式的成就。Exynos 2500将采用三星自家研发的MBCFET(Multi-Bridge-Channel Field-Effect Transistor)技术,这是一种采用多支桥型通道的栅极全环绕(GAA)晶体管结构。业界普遍认为,GAA技术相比传统的FinFET工艺,能够实现更高的性能和更低的功耗。因此,Exynos 2500的推出,无疑勾勒出了三星在半导体领域的宏伟蓝图。
但现实往往都是残酷的。就在三星沾沾自喜之时,一则令人发指的消息却在业界风传开来 - 三星在试生产Exynos 2500处理器时,其3纳米工艺的良率竟然为0%!这一消息一经曝光,瞬间引发了业界的一片哗然。
根据业内分析师郭明錤的爆料,由于三星自家的Exynos 2500芯片良率远低于预期,无法按时出货,高通最终将取而代之,成为三星Galaxy S25系列机型的独家SoC供应商。这一变化,无疑给三星的半导体业务蒙上了一层阴影。
三星在3纳米工艺上的巨大投入,竟然换来了如此沉重的挫败。据财报显示,三星在全年资本支出中,有近半数资金用于半导体领域。而在整个3纳米项目中,三星更是投入了高达1160亿美元,折合近8400亿人民币。这还不包括后续两座3纳米工厂的建设费用。
对于一家以半导体业务支撑整个电子帝国的公司来说,这样的结果无疑是雪上加霜。根据三星电子披露的2023年全年的业绩报告,三星营业利润较上年同期下降84.9%,全年营收下降14.3%,全年净利润下降72.2%。其中,受损最大的自然是其半导体业务,2023年损失达14.9万亿韩元。
三星在3纳米工艺的"跌跤",无疑给这家科技巨头带来了巨大的震荡和压力。一向引领行业潮流的三星,如今却陷入了前所未有的困境。这对于一家如此依赖半导体业务的公司来说,无疑是一记重拳。
二、GAA技术:摩尔定律的新守护者,还是Achilles heel?
要理解三星在3纳米工艺上遭遇的困境,我们必须先回顾一下这项技术的发展历程。
1965年,英特尔联合创始人戈登·摩尔提出了著名的"摩尔定律"。这一定律如同科技界的灯塔,指引着半导体行业不断前行。然而,随着我们逼近物理极限,传统的FinFET(芬柯场效应晶体管)技术已经难以满足摩尔定律那日益增长的需求。这时,GAA技术就应运而生,成为了摩尔定律的新守护者。
GAA技术,即"栅极全环绕"(Gate-All-Around)技术,是一种先进的晶体管设计。与传统的FinFET相比,GAA的栅极完全环绕在晶体管的通道周围,如同一把锋利的剑,剑刃(晶体管的通道)被剑身(栅极)紧紧环绕。这种设计提供了更好的电流控制能力,可以显著提高晶体管的性能,降低功耗,并允许在更小的空间内集成更多的晶体管。
对于三星来说,GAA技术无疑是突破3纳米工艺的关键。三星的GAA技术,被称为MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET),它通过在纳米尺度上构建多个栅极桥接,实现了对电流的更精细控制。这项技术不仅在理论上展现出了优异的性能,也成为了三星在与台积电的半导体工艺制程竞争中的重要砝码。
然而,理想很丽,现实却很骨感。当三星试图将这项技术付诸实践时,却遭遇了前所未有的挑战。根据业内人士的爆料,三星在试生产Exynos 2500处理器时,其3纳米工艺
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三星在3纳米GAA技术上的"跌跤"引发了业界的广泛关注。作为一种被寄予厚望的新兴技术,GAA究竟为何会给三星带来如此巨大的挫折?
业内人士指出,GAA技术的突破并非一帆风顺。虽然它能够提供比FinFET更高的性能,预计在3纳米工艺中,性能提升可达30%以上,在功耗方面也能实现25%以上的降低。但是,技术的飞跃也带来了前所未有的挑战。
从5纳米到3纳米,晶体管的尺寸缩小了40%,这是一个巨大的飞跃,也是一个巨大的考验。GAA技术虽然以其独特的栅极设计,完全环绕晶体管的通道,如同给晶体管穿上了一层"紧身衣",确实带来了显著的性能提升和功耗降低。但是,这种技术革命的背后,却隐藏着巨大的风险和不确定性。
比如,对于采用纳米线GAA的工艺,需要堆叠更多的线层以增加总沟道宽度,这使得工艺更加复杂,生产成本也随之上升。而对于采用片状结构的GAA,虽然可以简化工艺,但也需要更大的宽度,这在一定程度上限制了晶体管的密度。
此外,随着技术的不断推进,物理极限的制约也日益凸显。即使有了GAA技术,我们是否能够继续遵循摩尔定律的步伐,每两年翻一番,仍然是一个未知数。
对于三星来说,这场关于3纳米的"豪赌"无疑已经让其陷入了深深的困境之中。一向引领行业潮流的三星,如今却面临着前所未有的危机。
三星在3纳米GAA技术上的失利,不仅影响了Exynos 2500处理器的生产,更波及到了后续产品,如Galaxy Watch 7的芯片组也无法实现量产。这一连锁反应,对三星的半导体业务乃至整个电子产品线都造成了不小的冲击。
更令人担忧的是,根据三星电子披露的2023年全年业绩报告,其半导体业务在去年遭受了14.9万亿韩元的巨额损失。这对于一家高度依赖半导体业务的科技巨头来说,无疑是一场沉重的打击。
当下,三星正试图通过推出第二代3纳米工艺来挽回市场信心。但对于这家曾经引领行业潮流的科技巨头来说,这场关于3纳米的"豪赌"恐怕已然成为了它前进道路上的一大绊脚石。
三星能否在短期内化解3纳米工艺的困境,重拾往日的荣光,仍然是一个巨大的未知数。但毫无疑问的是,这一次的挫败,无疑会给三星的半导体帝国梦带来深深的阴影。
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