突破技术难题!氮化镓半导体市场规模预计到2026年突破423亿美元,年复合增长135%
⭐发布日期:2024年10月09日 | 来源:中国新闻网
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第三代半导体材料氮化镓产业化进程加速,市场前景广阔
第三代半导体材料氮化镓在快充器件、新能源车载电源、5G基站等领域的应用日益广泛,已成为资本市场的热门投资领域。市场调研机构预测,到2026年,全球氮化镓电子和光电子材料及器件市场规模将突破423亿美元,年均复合增长率约为13.5%,显示出强劲的增长潜力。
北京大学物理学院教授沈波团队在产业化应用上取得突破,推动了科研成果在顺义区第三代半导体产业园的落地,成立了北京中博芯半导体有限公司。沈波表示,公司的主要目标是在2024年实现氮化镓外延片销售的大幅提升,并已在技术领域取得了国家技术发明奖。
产业化应用实现突破
中博芯通过技术创新,有效解决了氮化镓外延材料生长过程中的技术难题,实现了产业化应用。公司拥有LED外延用高温MOCVD、大尺寸Si基GaN外延用MOCVD、4英寸芯片线等设备,覆盖了产业链的关键环节。
资本关注与支持
中博芯在成立之初就获得了资本市场的关注,元培基金等专业投资机构对其技术和市场前景给予了高度评价。资本的早期介入为氮化镓外延材料的产业化进程提供了有力支持。
市场机遇与挑战并存
尽管国内氮化镓外延材料技术已达到全球领先水平,但市场需求尚未充分满足,供应偏紧。企业需要具备完整的工艺能力,使用不同衬底生长优质外延材料,并在设备领域研发出替代进口的国产设备,以抓住市场机遇。
和讯自选股写手
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柳美稀
9秒前:市场机遇与挑战并存尽管国内氮化镓外延材料技术已达到全球领先水平,但市场需求尚未充分满足,供应偏紧。
IP:42.69.2.*
许秋怡
6秒前:公司拥有LED外延用高温MOCVD、大尺寸Si基GaN外延用MOCVD、4英寸芯片线等设备,覆盖了产业链的关键环节。
IP:21.83.9.*
全成勋
8秒前:企业需要具备完整的工艺能力,使用不同衬底生长优质外延材料,并在设备领域研发出替代进口的国产设备,以抓住市场机遇。
IP:66.88.7.*