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据悉，三星电子计划在现有韩国忠清南道天安市封装设施的基础上在该市境内兴建服务于HBM内存等生产的半导体封装工厂。三星电子将以租赁的形式获得三星显示一幢大楼的使用权，并在三年内为该建筑导入生产HBM等所需的半导体后端加工设备。

相关人士透露，三星正在为微软和Meta供应量身打造的HBM4内存。据悉，微软和Meta分别拥有名为Mia100和Artemis的人工智能芯片，此次三星供应定制化HBM4内存，即是满足两家公司上述产品对高性能内存的需求。中国银河证券研报指出，面向AI存储器的需求有望延续，HBM热度不减。AI终端应用落地带来的需求快速提升、产能扩充速度不及需求提升速度导致的DRAM供需格局紧张是行业持续成长的核心驱动力。

业界预期从HBM4开始，除了存储器功能外，HBM还需具备能够执行客户独立需求的各种运算，即迈向HBM定制化。所谓定制HBM，即是在性能、功率、面积(PAA)方面提供多种选项，与现有产品相比将提供更大的价值。例如，通过将HBM DRAM（核心芯片）和客户定制型逻辑芯片进行3D堆叠，可以大幅减少半导体的功率和面积。

2024年7月，三星表示，定制HBM 预计在HBM4世代成为现实。彼时三星电子存储器部门主管崔璋石(Choi Jang-seok)解释道：“我们看到HBM架构正在发生巨大变化。我们的许多客户正在从传统的通用HBM转向定制产品。”

三星电子内存业务副总裁Kim Jae-june在第三季度财报公布后召开的电话会议上表示：“目前，我们正在量产8层和12层HBM3E产品。”他指出，该公司在满足“主要客户”的质量测试要求方面取得了“有意义的进展”。该客户指的应该就是英伟达。

他补充说：“我们预计第四季度将扩大销售，”以回应此前有关三星电子在向英伟达供应HBM产品方面落后的担忧。三星电子表示，第三季度的HBM销售额环比增长了70%以上，预计第五代HBM3E芯片将在第四季度占HBM总销售额的50%。

该公司表示，正在开发第6代HBM4产品，计划从明年下半年开始批量生产。

值得一提的是，近期，三星在进博会上展示的24GB GDDR7提供了业界出众的容量和超过40Gbps的速度，将原先应用于移动产品的技术首次应用于图形DRAM，实现了超过30%的能效提升。三星12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H支持全天候*高带1280GB/s，产品容量也达到了36GB。相比8层堆叠，三星HBM3E 12H带宽和容量大幅提升超过50%，有效提升人工智能训练平均速度。

HBM市场前景广阔

HBM（High-Bandwidth Memory，高带宽内存）市场近年来呈现出快速增长的态势，这主要得益于高性能计算、人工智能、数据中心和图形处理等领域对高速度、低功耗和高数据吞吐量内存需求的激增。以据研究机构Yole Group预测，2024年HBM市场规模约为141亿美元，2025年将增长至199亿美元，而到了2027年，HBM市场规模有望达到377亿美元，这显示了HBM市场的巨大增长潜力。

目前，HBM市场主要由三星电子、SK海力士和美光科技三大厂商主导。其中，SK海力士在产量和供应方面处于领先地位，三星电子紧随其后，而美光科技作为后来者，也在积极进军HBM市场。随着客户对HBM性能、功率和面积（PAA）方面需求的多样化，定制化HBM逐渐成为市场的新趋势。三星电子和SK海力士等厂商都在积极应对这一趋势，通过与客户合作开发定制化的HBM产品来满足市场需求。

受限于整体DRAM产能有限以及HBM生产技术的复杂性，HBM内存的供应一直相对紧张。然而，随着厂商们不断扩大产能和提升良率，HBM内存的供应情况正在逐步改善。随着人工智能、高性能计算和数据中心等领域对高带宽内存需求的持续增长，HBM内存的需求也在不断增加。尤其是在AI大模型的应用场景下，HBM因其高带宽和低延迟的特点而备受青睐。

目前，HBM的价格仍然高于传统DRAM数倍。然而，随着市场规模的扩大和技术的成熟，HBM的价格有望逐渐降低，从而进一步推动其市场的普及和发展。HBM的生产技术相对复杂，良率一直是制约其产量和成本的关键因素之一。不过，随着厂商们不断投入研发和改进生产工艺，HBM的良率正在逐步提升。除了人工智能、高性能计算和数据中心等领域外，HBM还有望在自动驾驶、云计算等新兴领域得到广泛应用。